一、曝光原理

基礎原理：在金屬基片上均勻涂抹化學感光材料，然后將需要蝕刻的圖形通過光繪或光刻的方式復制到覆蓋在基片上的感光掩膜上。在曝光過程中，紫外光照射掩膜，光引發劑吸收光能后發生化學反應，導致掩膜上特定區域的化學感光材料發生聚合反應，變得不溶于后續的顯影液。

曝光過程：曝光通常在全自動曝光機中進行，根據燈源的制冷方法不同，曝光機可分為水冷和風冷兩種。在紫外光的直射下，光引發劑吸收光能變為分散基，分散基再引起不聚合單個開展聚合化學交聯反映，反映后產生不融解于堿性溶液的大分子式。曝光成像的質量由燈源的選擇、曝光時間以及菲林（即膠片）的質量共同決定。

二、曝光過程詳解

準備階段：首先，將需蝕刻的圖形通過光繪或光刻的方式轉移至兩張完全一致的膠片菲林上，或通過其他方式（如機器對位）將菲林對準。然后，將已涂布感光油墨或貼好感光干膜的金屬基片置于菲林中間，準備曝光。

曝光操作：在曝光機中，紫外光照射菲林，對應菲林黑色處的金屬基片未被感光，對應菲林白色處的金屬基片感光。感光處的油墨或干膜發生聚合反應，形成不溶于顯影液的立體形大分子結構。

后續處理：曝光后，經過顯影機處理，被感光的油墨或干膜不被顯影液溶化，而未感光的油墨或干膜在顯影液中被溶化去除。這樣，需蝕刻的圖形就通過曝光和顯影過程轉移到了金屬基片上。

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